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本文標(biāo)題:"立體顯微鏡測(cè)定微小覆晶焊點(diǎn)熔深厚度-光學(xué)儀器"

新聞來(lái)源:未知 發(fā)布時(shí)間:2013-10-18 17:19:05 本站主頁(yè)地址:http://joycesworld.cn

立體顯微鏡測(cè)定微小覆晶焊點(diǎn)熔深厚度


電遷移、熱遷移效應(yīng)

   當(dāng)電子產(chǎn)品使用時(shí),由于電流通過(guò)晶粒所產(chǎn)生的焦耳熱效應(yīng),
會(huì)造成晶粒溫度上升,加速界面反應(yīng)。電流通過(guò)時(shí),
也會(huì)產(chǎn)生電遷移效應(yīng) (electromigration effect)而造成原子遷移,進(jìn)而加速焊點(diǎn)之破   
壞。在覆晶焊點(diǎn)微小化下,通過(guò)之電流密度因而加大,電遷移作用   的影響將更加嚴(yán)重。
因此電遷移效應(yīng)之探討也是目前研究之重點(diǎn)。   除電遷移效應(yīng)外,
同時(shí)亦探討電流所引發(fā)之派鐵爾效應(yīng)(Peltier effect)  。
目前電子封裝中,焊點(diǎn)縮小與溫度差異,使得熱遷移現(xiàn)象也更加   
明顯,本實(shí)驗(yàn)室致力于熱遷移對(duì)界面反應(yīng)之影響研究

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