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本文標(biāo)題："集成電路的不同封裝結(jié)構(gòu)檢測(cè)立體顯微鏡"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-11-20 0:12:35 本站主頁(yè)地址：http://joycesworld.cn
集成電路的不同封裝結(jié)構(gòu)檢測(cè)立體顯微鏡
紅外線熱顯像儀實(shí)測(cè)與CFD 軟件模擬五種不同封裝結(jié)構(gòu)高功率LED 元件的接
面溫度結(jié)果顯示消耗功率為9.92W (350mA)時(shí)，A, B, C, D 及E Type 試樣的接面溫度
分別是84.32℃, 82.87℃, 81.91℃, 81.36℃與81.2????0℃，擺放間距最小的A Type
與最大的E Type，兩者間的接面溫度相差3.12℃，顯示擺放間距小的A Type 無(wú)法快速地將
LED 晶片所產(chǎn)生的熱傳至空氣中，因此具有最高的接面溫度。當(dāng) GaN-base 晶片間距
從0.5 mm 增加至2.0 mm 時(shí)(間距相差4 倍)，晶片所產(chǎn)生的熱能可以有效地的傳導(dǎo)出
來(lái)。透過(guò)CFD 軟件模擬得知，更改散熱基板的材質(zhì)、增加散熱鰭片的厚度(表面積)
或是增大LED 晶片尺寸皆能有效地降低高功率LED 元件的接面溫度以及熱阻
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